光刻胶行业解析:国产化浪潮兴起
一、行业背景:新凯来引爆市场,光刻胶国产替代加速
近期,深圳国资委控股的半导体设备企业新凯来在SEMICON China 2025展会上首次亮相,便以其发布的五款以中国名山命名的半导体设备(如ALD“阿里山”、ETCH“武夷山”等)引发了轰动。这些设备覆盖了薄膜沉积、刻蚀等核心工艺,标志着国产半导体设备已经从“追赶”阶段迈入了“并跑”阶段。尽管新凯来并未直接涉及光刻胶的生产,但其设备技术的突破将极大地推动国内高端芯片制造能力的提升,进而拉动光刻胶等配套材料的需求。
这一事件背后,折射出两大显著趋势:
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国产替代深化:在美国技术封锁的背景下,半导体产业链自主可控的需求日益迫切。光刻胶等“卡脖子”材料成为了重点突破领域,国产企业正加速替代进口产品,以确保供应链的安全和稳定。
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技术升级驱动:随着AI芯片、HBM存储等新兴应用的快速发展,对高分辨率光刻胶的需求也在激增。国产企业正积极向KrF、ArF等高端产品迭代,以满足市场需求。
二、光刻胶国产化核心标的:江化微与彤程新材脱颖而出
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江化微(603078.SH):湿电子化学品龙头,光刻胶配套试剂隐形冠军
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技术优势:江化微主营光刻胶配套试剂,如显影液、剥离液等,产品等级覆盖G2-G5,金属离子含量达到<10ppb级别,可满足28nm及以下制程的需求。其自主研发的“一剂型”铜蚀刻液技术打破了海外垄断,并已成功导入中芯国际、长鑫存储等头部晶圆厂。
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产能布局:公司在江阴、镇江、四川三大基地合计规划产能超40万吨。其中,镇江二期项目投产后将成为国内最大的湿电子化学品生产基地之一。
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市场表现:2024年,江化微的光刻胶配套试剂营收达到3.81亿元,占总营收的35.65%。尽管净利润受成本压力短期承压,但半导体业务占比已提升至25.52%,高端化转型成效显著。
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彤程新材(603650.SH):半导体光刻胶国产化领军者
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技术突破:彤程新材的子公司北京科华是国内KrF光刻胶市占率第一的企业,其ArF光刻胶已通过中芯国际28nm的验证并量产,EUV胶也已完成实验室阶段的研发。产品线覆盖i线、KrF、ArF及EUV全品类,是国内唯一实现高端光刻胶规模化供应的企业。
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产业链协同:彤程新材与中芯国际、长江存储等深度绑定,通过“研发-验证-迭代”的模式加速客户导入。2024年上半年,其半导体光刻胶营收同比增长54.43%,ArF胶的量产接单成为新的增长点。
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战略布局:公司横向拓展至CMP抛光垫、高纯试剂等领域,其中EBR G5等级的高纯试剂已量产。致力于打造电子材料平台型企业,预计2027年半导体材料营收占比将超过50%。
三、新凯来爆火的产业链传导逻辑
新凯来的设备技术突破将直接推动国内晶圆厂的扩产,而光刻胶作为芯片制造的核心耗材,其需求也将随之放大:
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设备-材料协同:新凯来的刻蚀、薄膜沉积设备需要匹配高纯度的光刻胶。因此,江化微的配套试剂、彤程新材的光刻胶产品将受益于国产设备的验证闭环。
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产能释放加速:中芯国际、华虹等晶圆厂的扩产计划将带动光刻胶采购量的增长。江化微镇江基地、彤程新材北京科华的产能逐步释放,可承接更多订单。
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政策加码:上海等地出台了智算云产业政策,要求2027年算力国产化率达到70%。这将倒逼芯片制造本土化,为光刻胶企业带来增量市场。
四、挑战与未来展望
尽管国产光刻胶取得了显著进展,但仍面临三大瓶颈:
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原材料自主化:光刻胶的树脂、单体等核心原料仍依赖进口。江化微通过产学研合作提升G5级试剂的纯度,彤程新材则向上游延伸特气业务,以保障供应链的安全。
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验证周期长:光刻胶导入晶圆厂需要2-3年的认证周期。新凯来设备的国产化将有助于缩短验证周期,形成“设备-材料”的协同验证生态。
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国际竞争加剧:日本企业垄断了全球60%以上的光刻胶市场份额。国产企业需要通过技术迭代(如彤程的ArF胶、江化微的EBR试剂)来抢占高端市场。
展望未来,2025-2030年,国产光刻胶市场规模预计将以20%的复合增速扩张。江化微与彤程新材凭借技术积累和产能优势,有望成为国产替代的最大受益者。叠加新凯来等设备商的技术突破,中国半导体材料产业链将加速实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。
数据支持方面,中国电子材料行业协会预测,2025年国内湿电子化学品市场规模将达到292.75亿元,其中光刻胶配套试剂的占比将超过30%。这一数据进一步印证了光刻胶行业的广阔前景和巨大潜力。
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