HBM行业深度

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是当前算力卡性能的关键限制因素。由于其采用了TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）和微凸块等技术，HBM在DRAM裸片和计算核心之间实现了较短的信号传输路径、较高的I/O数据速率、高位宽和较低的I/O电压，因此具备高带宽、高存储密度、低功耗等优势。尽管如此，当前HBM的性能仍然跟不上算力卡的需求。

海力士、三星和美光等主要厂商正在加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM。预计到2024年，HBM3e的24GB/36GB版本将量产或发布，内存性能将进一步提高。HBM的层数、容量、带宽指标不断升级，目前最先进的HBM3e版本理论上可实现16层堆叠、64GB容量和1.2TB/s的带宽，分别为初代HBM的2倍、9.6倍和4倍。

HBM的制造工艺包括TSV+Micro bumping+TCB（晶圆级芯片绑定）等。例如，三星采用TC-NCF工艺，而海力士则采用改进的MR-MUF工艺，在键合应力、散热性能、堆叠层数方面更具优势。随着HBM堆叠层数的增加，以及HBM对速率、散热等性能要求的提升，HBM4可能引入混合键合工艺，相应的TSV、GMC/LMC的要求也将提高。

AI服务器的需求增长正在刺激服务器存储容量的扩充，HBM的需求因此变得强劲。例如，NVIDIA A100/H100 80GB配置的服务器HBM用量约为640GB，远超常规服务器的内存条容量。预计随着算力卡单卡HBM容量提升、算力卡出货量提升、技术迭代带来单GB HBM单价提升，2023年HBM市场规模为40亿美元，预计2024年增长至148亿美元，2026年增长至242亿美元，2023至2026年的复合年增长率为82%。

目前，HBM供应链主要以海外厂商为主，但部分国内厂商也开始进入海外存储/HBM供应链。国产HBM正处于从0到1的突破期，国内厂商在DRAM制程和先进封装技术方面已接近国际水平，因此未来有望在HBM领域实现国产化突破。

作者利益披露：原创、不作为证券推荐或投资建议，截至发文时，作者不持有相关标的。

声明：文章观点仅为作者个人研究意见，不代表韭淘中心观点及立场，站内所有文章均不构成投资建议，请投资者注意风险，独立审慎决策。