国内首款！2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样

    目前，全球量产硅光芯片产品的主流传输速率为800Gb/s，1.6Tb/s产品刚刚发布。此次，由国家信息光电子创新中心等单位自主研发的2Tb/s硅光芯粒样品，已达到国际先进水平。预计近期可以实现高端硅光芯片的批量商用。

    以下是原文：

    近日，国家信息光电子创新中心（NOEIC）和鹏城实验室的光电融合联合团队完成2Tb/s硅光互连芯粒（chiplet）的研制和功能验证，在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。

    该团队在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超200G driver和TIA芯片, 并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

    该方案充分利用了硅光与CMOS封装工艺兼容的特点，相比于传统wirebond方案，3D芯粒能解决电芯片与光芯片间高密度、高带宽电互连的困难，显著降低射频信号在光-电芯片互连过程中的严重衰减。经系统传输测试，8个通道在下一代光模块标准的224Gb/s PAM4光信号速率下，TDECQ均在2dB以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达8×256Gb/s，单片单向互连带宽高达2Tb/s。

    据介绍，该工作充分展现了3D集成硅光芯粒的优越互连性能，以及联合团队的领先自主研发水平。该成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的CPO、NPO、LPO、LRO等各类光模块产品中，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径。

    目前，全球量产硅光芯片产品的主流传输速率为800Gb/s，1.6Tb/s产品刚刚发布。此次，由国家信息光电子创新中心等单位自主研发的2Tb/s硅光芯粒样品，已达到国际先进水平。预计近期可以实现高端硅光芯片的批量商用。

    原文链接：中国光谷 

    https://mp.weixin.qq.com/s/7BbTkow9oEToeelj4AnWeg

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