三星电子开发AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，降低22%的生产成本

近日，韩媒报道了三星电子正在开发面向AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，并计划于2026年二季度实现量产。这项封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。
这一封装技术将GPU垂直堆叠在LCC（即SRAM缓存）上，两部分键合为一体，类似于三星电子现有X-Cube 3D IC封装技术。GPU（AI计算芯片）与LCC缓存通过垂直堆叠的方式形成一个整体，与HBM内存进行互联。在两者之间使用硅桥芯片来直接连接裸晶，而在铜RDL重布线层上引入了透明介质来代替价格更高的硅中介层。这种设计能够在不牺牲芯片性能的前提下降低22%的生产成本。
此外，三星电子还计划在其3.3D封装技术中引入面板级（PLP）封装。大型方形载板将取代面积有限的圆形晶圆，从而进一步提高封装生产效率。目前，由台积电主导的先进封装代工市场主要由无厂设计企业占据份额，因此三星电子希望通过推出新一代3.3D封装技术，在价格和生产效率上具有显著优势。

三星3.3D封装，降本22%，通过铜RDL重布线层上引入了透明介质来代替价格更高的硅中介层。这种设计能够在不牺牲芯片性能的前提下降低22%的生产成本。

3.3D封装关键点：RDL重布线层代替硅中介层，铜RDL成为最大增量。

光华科技:公司芯片先进封装湿制程整体产品服务方案,包括:干膜前处理光刻胶/干膜涂布润湿液、显影液、铜RDL电镀液等。

硕贝德:公司直接参股苏州科阳半导体有限公司，该公司是少数掌握晶圆级芯片封装技术的公司之一，掌握了晶圆级芯片封装的 TSV、micro-bumping(微凸点)和RDL等先进封装核心技术

美迪凯：开发了晶圆正面各种金属RDL布线加工工艺；公司自主研发的真空塑封技术（已申请发明专利）跟同行业的覆厚树脂膜工艺相比，单颗芯片加工成本可以降低10%左右，成品耐高温能力可以达到350度以上，而行业普遍耐高温能力为300度，产品可靠性更高。

蓝箭电子 ：公司先进封装系列主要包括DFN/PDFN/QFN、TSOT、FC和SIP等;在DFN/QFN先进封装产品上已实现大规模技术应用,并掌握了倒装(Flip Chip)、SIP系统级封装技术。量产倒装芯片可覆盖28纳米和110纳米制程的晶圆。公司在已掌握的SIP系统级封装技术中，能够实现多块芯片平面排布的二维封装结构（2D SIP）和芯片垂直叠装的三维封装/集成结构（3D SIP），所封装产品具有高性能，低功耗，小型化，异质工艺集成，低成本等优势

瑞丰光电：在封测领域发力多芯集成与堆善封装、3D封装等先进封装技术着力智能汽车、物联网等领域的创新应用。

大港股份:控股孙公司苏州科阳是少数掌握晶圆级芯片封装技术的公司之一，掌握了晶圆级芯片封装的 TSV、micro-bumping(微凸点)和 RDL等先进封装核心技术，包含了覆盖锡凸块、铜凸块、垂直通孔技术、倒装焊等技术。