三星电子开发AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，降低22%的生产成本
近日，韩媒报道了三星电子正在开发面向AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，并计划于2026年二季度实现量产。这项封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。 这一封装技术将GPU垂直堆叠在LCC（即SRAM缓存）上，两部分键合为一体，类似于三星电子现有X-Cube 3D IC封装技术。GPU（AI计算芯片）与LCC缓存通过垂直堆叠的方式形成一个整体，与HBM内存进行互联。在两者之间使用硅桥芯片来直接连接裸晶，而在铜RDL重布线层上引入了透明介质来代替价格更高的硅中介层。这种设计能够在不牺牲芯
