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国林科技半导体突破

国林科技:半导体设备突破 国林科技,作为臭氧发生器领域的龙头企业,近期在半导体设备方面取得了重大进展。其半导体臭氧设备可应用于半导体清洗领域,有力地推动了产业链的国产化进程。臭氧工艺在半导体清洗环节中的应用已相当广泛,特别是在光刻环节,VOS工艺(即高浓度臭氧气体和气化水的混合物)有望成为传统SPM(过氧化硫混合物)清洗工艺的有力替代品。 国林科技在半导体臭氧设备

HBM行业深度

HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是当前算力卡性能的关键限制因素。由于其采用了TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)和微凸块等技术,HBM在DRAM裸片和计算核心之间实现了较短的信号传输路径、较高的I/O数据速率、高位宽和较低的I/O电压,因此具备高带宽、高存储密度、低功耗等优势。尽管如此,当前HBM的性能仍然跟不上算力卡的需求。海力士、三星和美光等