浩通科技
铜连接器新方向：钌金属
三星半导体的高级工程师Jongmin Baek及其同事特别研究了如何优化铜所需的阻挡层和蚀刻停止层以提高整体性能。例如，在接触金属－间隔测试媒介中，该团队使用侧壁等离子体预处理将侧壁阻挡层厚度减少了三分之一，接触电阻提高了2%。 三星研究人员特别关注了通孔底部的阻挡层。因为金属通孔位于金属线上，这个阻挡层不需要作为电绝缘或扩散阻挡。它只是侧壁沉积的一个副产品，但它可以占到通孔电阻的60%以上。选择性沉积方法通常用于减少通孔底部沉积。在Baek的工作中，一种聚合物抑制剂相对于通常使用的自组装单层提
