全球首款12英寸GaN晶圆诞生,氮化镓迎技术拐点
全球首款12英寸GaN晶圆诞生,氮化镓迎技术拐点 氮化镓功率半导体业务将实现近10倍的增长。今日重要性:✨ 据中证报报道,近日,英飞凌宣布能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片,该公司已经成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化镓(GaN)晶圆,并将在今年11月举行的慕尼黑电子展上向公众展示。英飞凌希望通过新工艺长期确保氮化镓芯片的价格不会高于硅半导体。据称,该技术已在位于菲拉赫工厂的试产线上得到验证,目前将根据需求扩大产能。 作为第三代半导体材料的典型代表,在过去多年的发展历程中,